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Il futuro delle RAM: Samsung ha prodotto le prime DDR4

Samsung ha battuto tutti sul tempo questa volta con l'annuncio della realizzazione del primo modulo DDR4 mediante processo produttivo a 30 nm. Il transfer rate si ferma per ora a 2,133 Gbit/s ma si è già al lavoro per raggiungere a breve i 4 Gbit/s, un bel passo avanti rispetto agli 1,6 Gbit/s delle DDR3 tradizionali, specie se si tiene conto che le DDR4 operano di base a 1,2 V, quindi a circa il 40 % in meno dei moduli DDR3 da 1,5 B. Anche volendo compararle con le versioni più "eco" a 1,35 V, il guadagno su consumi e prestazioni per le DDR4 resta innegabile.

Ddr4

Questo è stato possibile grazie all'introduzione nei moduli della tecnologia POD (Pseudo Open Drain), già in uso sulle memorie per GPU di alto livello ma che comprare per la prima volta in un prodotto destinato ad essere utilizzato come RAM di sistema.

E' presto però per la commercializzazione, dato che la stessa Samsung dichiara di aver appena iniziato a collaborare con un non meglio specificato produttore di controller dandogli la possibilità di testare moduli da 2 GB DDR4, con l'unica certezza che la standardizzazione presso JEDEC avverrà nella seconda metà del 2011. Per l'effettiva comparsa sul mercato invece si ritiene probabile una data a cavallo tra il 2013 ed il 2014, per raggiungere infine il mainstream nel 2015.

Ancora incerto come si risolverà la questione point-to-point dell'architettura, che di fatto limita il supporto ad un solo modulo per canale, se si procederà alla realizzazione di chip multi-layer o all'inserimento di switch sulle motherboard per pilotare alti quantitativi di RAM, se non addirittura per entrambi i sistemi.

Intanto alcuni produttori sono pronti a lanciare nuovi moduli DDR3 a 1,2 V, che faranno quindi da tampone per il mercato in attesa del futuro lancio delle DDR4.

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